Ранее в этом году Samsung уже начала выпускать для видеокарт чипы памяти GDDR6 с использованием технологии 10-нм класса, а теперь компания наладила выпуск первых в индустрии 8-гигабитных чипов памяти LPDDR5 для смартфонов следующего поколения.
Заметка: '10нм класс' означает использование технологии в интервале 'от 10нм до 20нм', а не фактический 10нм техпроцесс.
Использование этих чипов позволит добиться скорости передачи данных до 6400Мбит/с, что на 50% больше, чем в случае с текущими топовыми чипами - LPDDR4X обеспечивает скорость передачи на уровне 4266Мбит/с. Эта скорость достижима при напряжении 1,1В, а для более низкого режима 1,05В она составит значение 5500Мбит/с.
Поскольку глубокий спящий режим требует примерно половину мощности чипа LPDDR4X, использование нового чипа позволит получить 30%-ную экономию энергии.
Samsung ожидает, что высокая пропуская способность новых чипов будет использоваться для приложении, использующих в своей работе ИИ, а также для телефонов с поддержкой …
Huawei P30 Pro сохранит изящный дизайн, несмотря на 4 объектива